【ex外汇官网入口】存储或极度紧缺！高盛：四大颠覆性变化(附股)
周一存储概念活跃，截至午间收盘，或极化附概伦电子20CM涨停，度紧颠覆华大九天、缺高江波龙、性变天山电子等多股涨超10%。存储ex外汇官网入口
内外利好共振
存储消息面上，或极化附呈现内外共振的度紧颠覆局面。
7月3日晚间，缺高江波龙发布2026年半年度业绩预告显示，性变公司预计上半年实现归属净利润约为92亿—110亿元，存储同比暴涨62204.03%—74393.95%。或极化附
外围股市方面，度紧颠覆存储巨头三星即将发布财报。缺高ex官网外汇据伦敦证券交易所集团(LSEG)汇总的性变分析师共识预测，三星电子第二季度营收预计在170万亿韩元（约合1112亿美元）左右，营业利润约为86万亿韩元（约合562亿美元），部分券商甚至预测高达90万亿韩元（约合589亿美元）。
这意味着其第二季度营业利润不仅将轻松超越第一季度57万亿韩元（约合373亿美元），而且将比去年同期的4.7万亿韩元飙升17倍，标志着三星连续第三个季度创下营业利润纪录。
杠杆资金：吸筹这些票
东方财富Choice数据显示，自今年6月以来，杠杆资金净买入了一批存储概念股。 具体来看，兆易创新排名第一，融资净买入超38亿元；佰维存储排名第二，ex集团官网融资净买入31亿元。
江波龙、普冉股份、德明利、协创数据、科翔股份、臻宝科技、北京君正、澜起科技、沪硅产业、长电科技等个股融资净买额在19亿元至10亿元之间不等。
机构调查：今年三季度存储极度紧缺
根据TrendForce最新发布的存储器价格调查报告，2026年第三季整体DRAM格局持续极度紧缺，但因消费级应用需求下修及高基期作用，合约价涨幅收敛，预计季度环比增长13%—18%。
NAND Flash主要需求仍由AI推理与大型数据中心建设支撑，但因合约价格已达历史高点，消费端客户在需求放缓的情况下，对价格承受力已达极限，预估整体NAND Flash合约价预计季度环比增长10%—15%，幅度较前几季明显缩减。
报告称，AI仍然是市场的核心驱动力。AI推理系统和超大规模数据中心的需求依然强劲，足以让DRAM和NAND供应持续受限；与此同时，存储厂商继续将产能转向利润率更高的服务器产品。这导致可分配给消费类存储的产能减少，即便PC和智能手机需求走弱，价格也难以下跌。
TrendForce预计，虽然第三季度服务器DRAM预计仍将供不应求，但由于部分采购已被长期供应协议覆盖，价格涨幅应会有所放缓。
TrendForce认为，这一趋势可能会拖累今年剩余时间的PC出货量。智能手机厂商也面临类似压力，许多厂商预计将提高手机售价，以抵消持续高企的LPDRAM低功耗DRAM成本。与此同时，随着消费需求转弱，它们在生产计划上也会变得更加谨慎。
高盛：存储四大颠覆性变化
国际投行高盛发布最新研报认为，AI驱动需求持续性、供给受限及长期供货协议（LTA）三大结构性变化，正推动存储行业向AI基础设施赛道转型。预计供需短缺将延续至2028年。此前大摩和小摩就指出，存储巨头正站在估值范式切换的历史节点上，盈利可预测性比肩台积电，当前7.3倍远期P/E存在历史性修复空间。
全球存储芯片行业正在经历一场历史性的范式转变：它正在从传统的“暴涨暴跌”周期性大宗商品，蜕变为具有高度确定性的AI基础设施战略资源。最核心的影响在于估值框架的彻底颠覆——从传统的市净率（P/B）向市盈率（P/E）跨越。
高盛在最新发布的全球半导体存储行业深度研究报告中指出，当前存储芯片上行周期不同于以往，AI驱动的需求持续性、受约束的供给增长以及长期供货协议（LTA）的结构性变化，正推动存储行业从高周期性商品赛道向具有可预测盈利的AI基础设施赛道转型。
高盛报告指出，行业基本面与估值逻辑正在发生四大颠覆性变化：
首先，供需缺口被全面上修，2027年DRAM、NAND与HBM三大市场的供应紧张程度将超越2026年，且短缺将延续至2028年；
其次，估值框架发生历史性切换，行业基准正式从市净率（P/B）转向市盈率（P/E），驱动“三巨头”目标价全线大幅上调（海力士隐含约53%上涨空间，三星隐含约60%）；
第三，HBM定价逻辑重估，2027年HBM均价将向普通DRAM实现高达44%的“追赶性补涨”，其全球市场规模（TAM）在2027年被上修54%至1160亿美元；
最后，三巨头中长期的营业利润预测遭到全面上调，高利润率将在整个预测期内贯穿始终。
供需缺口数据穿透：2027年将面临更严峻的短缺
高盛研报数据显示，三大存储品类在2027年的供需缺口不仅没有弥合，反而较2026年进一步恶化：
DRAM：2026/2027/2028年的供需缺口分别深跌至-5.0%、-5.9%和-3.9%。受服务器DRAM强劲需求驱动，2026年传统DRAM均价同比增速预计高达326%，营业利润率将稳居80%左右的历史极值。
NAND：供需缺口依次为-4.4%、-4.6%和-3.0%。企业级SSD（eSSD）需求在2026和2027年将分别暴增66%和31%，带动NAND营业利润率维持在中60%的高位区间。
HBM：短缺最为致命，缺口分别达到-5.4%、-6.0%和-4.3%。由于ASIC端需求异军突起（2026年增速达172%），高盛预测2026、2027、2028年的HBM市场规模将分别达到560亿、1160亿和1680亿美元。
